磁控濺射儀（標(biāo)配） 型號(hào):WZX/Gemini 500

磁控濺射儀技術(shù)原理
磁控濺射噴金技術(shù)，是通過(guò)磁場(chǎng)SHU縛電子運(yùn)動(dòng)，使電子在電場(chǎng)與磁場(chǎng)協(xié)同作用下高頻撞擊工作氣體（如氬氣）產(chǎn)生等離子體，等離子體中的正離子被加速后轟擊鉑（Pt）、金（Au）等靶材表面，使靶材原子脫離并均勻沉積在樣品表面形成納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的核XIN技術(shù)。相較于傳統(tǒng)蒸鍍噴金，該技術(shù)無(wú)需高溫加熱靶材，可避免樣品熱SUN傷，且薄膜附著力、均勻度GAO；針對(duì)低真空?qǐng)鼍癥OU化的磁路設(shè)計(jì)，能在≤4×10?2mbar真空度下穩(wěn)定產(chǎn)生等離子體，兼顧設(shè)備小型化與鍍膜精度，是實(shí)驗(yàn)室精MI樣品處理的技術(shù)方案。

磁控濺射儀（標(biāo)配） 型號(hào):WZX/Gemini 500

技術(shù)參數(shù)
主機(jī)結(jié)構(gòu) 1、尺寸423mm×370mm×390mm（W×D×H）
2、重量~50Kg（含真空泵），采用桌面型一體化設(shè)計(jì)，占地面積不足0.2㎡，相較于傳統(tǒng)大型噴金設(shè)備空間占用縮減70%，無(wú)需單獨(dú)規(guī)劃場(chǎng)地，適配實(shí)驗(yàn)室角落、小型間等緊湊空間，是小批量樣品處理的選型，無(wú)法被大型設(shè)備替代。
樣品室與濺射系統(tǒng)
1、樣品室尺寸180mm×150mm（D×H），采用高透光硼硅酸鹽玻璃材質(zhì)，可實(shí)時(shí)觀察鍍膜過(guò)程，且玻璃腔體經(jīng)TE殊防濺射處理，避免靶材原子附著影響觀察清晰度；
2、濺射面積Φ50mm，精ZHUN匹配小型樣品尺寸，避免鍍膜浪費(fèi)。
3、上部電極（靶）采用定制化Φ50mm×0.1mm規(guī)格，靶材與電極一體化設(shè)計(jì)，濺射均勻性偏差≤±2%，遠(yuǎn)CHAO通用型靶頭，且JIN適配本設(shè)備，無(wú)通用替代件。
靶材與可鍍材料 1、標(biāo)配1片GAO純度鉑（Pt）靶材（純度≥99.99%），相較于金靶材具備化學(xué)穩(wěn)定性與耐腐蝕性，適配高要求檢測(cè)場(chǎng)景；支持Au、Pt、Ag三種貴金屬鍍膜
真空與氣路系統(tǒng) 1、采用定制化皮拉尼真空計(jì)，測(cè)量范圍覆蓋1×10?3-1×103mbar，針對(duì)低真空?qǐng)鼍皟?yōu)化校準(zhǔn)，真空度顯示精度±0.01mbar，可穩(wěn)定維持≤4×10?2mbar的工作真空度，兼顧鍍膜質(zhì)量與抽氣效率；
2、配備微型真空氣閥，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)真空，可直接連接φ3mm軟管通惰性保護(hù)氣體，氣路密封性經(jīng)過(guò)測(cè)試，漏率≤1×10??mbar·L/s。
電源與控制參數(shù) 1、采用220V AC、50Hz接地三腳插頭供電，配備電源模塊，具備過(guò)載、過(guò)壓雙重保護(hù)功能；

磁控濺射儀（標(biāo)配） 型號(hào):WZX/Gemini 500

2、電壓-1600DCV、電流100mA，電流穩(wěn)定度±0.1mA，可控制濺射速率，避免薄膜過(guò)厚或過(guò)薄；
3、設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)濺射速率：40nm/分鐘。
4、0-999S定時(shí)器精ZHUN控時(shí)，支持秒JI調(diào)節(jié)，適配不同厚度薄膜制備需求，電源與控制系統(tǒng)聯(lián)動(dòng)，通用電源無(wú)法實(shí)現(xiàn)如此精ZHUN的參數(shù)匹配。
5、采用觸摸屏控制方式，人機(jī)界面，便于操作。
真空動(dòng)力系統(tǒng) 1、標(biāo)配2L/S小型機(jī)械泵，為設(shè)備定制款，泵體與主機(jī)適配性JIA，運(yùn)行噪音≤55dB，相較于通用機(jī)械泵體積縮減30%，且抽氣效率針對(duì)設(shè)備腔體大小YOU化，從大氣抽至工作真空度需3-5分鐘，大幅提升樣品處理效率，通用機(jī)械泵無(wú)法兼顧小體積與GAO適配性。