單晶少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):THZ24-LT-2

THZ24-/LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀，該儀器用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。
本儀器根據(jù)高頻光電導(dǎo)衰退法的原理，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。

單晶少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):THZ24-LT-2

技　術(shù)　指　標(biāo) ：
 測(cè)試單晶電阻率范圍  >2Ω.cm
 可測(cè)單晶少子壽命范圍  5μS～7000μS
 配備光源類(lèi)型  波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；
 閃光頻率為：20～30次／秒；
 高頻振蕩源  用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
 前置放大器  放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
 儀器測(cè)量重復(fù)誤差  <±20％
 測(cè)量方式  采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
 儀器消耗功率  <25W

單晶少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):THZ24-LT-2

 儀器工作條件  溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
 可測(cè)單晶尺寸  斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
 縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
 配用示波器  頻寬0—20MHz；
 電壓靈敏：10mV／cm；